IS61QDP2B21M18A-333M3L供應商
IS61QDP2B21M18A-333M3L
制造廠商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體）
類別封裝：存儲器，產品封裝：165-LBGA
技術參數：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
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參數詳情：
制造商產品型號：IS61QDP2B21M18A-333M3L制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA產品系列：存儲器包裝：托盤系列：-零件狀態：有源存儲器類型：易失存儲器格式：SRAM技術：SRAM - 同步，QUADP存儲容量：18Mb（1M x 18）存儲器接口：并聯時鐘頻率：333MHz寫周期時間-字，頁：-訪問時間：8.4ns電壓-供電：1.71V ~ 1.89V工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）安裝類型：表面貼裝型產品封裝：165-LBGAIS61QDP2B21M18A-333M3L的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
