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IS61NVF51236-7.5B3I供應(yīng)商
IS61NVF51236-7.5B3I
制造廠商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體）
類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：165-TBGA
技術(shù)參數(shù)：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IS61NVF51236-7.5B3I制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA產(chǎn)品系列：存儲器包裝：托盤系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)存儲器類型：易失存儲器格式：SRAM技術(shù)：SRAM - 同步，SDR存儲容量：18Mb（512K x 36）存儲器接口：并聯(lián)時鐘頻率：117MHz寫周期時間-字，頁：-訪問時間：7.5ns電壓-供電：2.375V ~ 2.625V工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型：表面貼裝型產(chǎn)品封裝：165-TBGAIS61NVF51236-7.5B3I的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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