IS43DR86400E-3DBLI-TR
制造廠商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體)
類別封裝:存儲器,產品封裝:60-TFBGA
技術參數:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
(專注銷售ISSI電子元器件,承諾原裝!現貨當天發貨!)
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參數詳情:
制造商產品型號:IS43DR86400E-3DBLI-TR制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA產品系列:存儲器包裝:卷帶(TR)系列:-零件狀態:有源存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術:SDRAM - DDR2存儲容量:512Mb(64M x 8)存儲器接口:并聯時鐘頻率:333MHz寫周期時間-字,頁:15ns訪問時間:450ns電壓-供電:1.7V ~ 1.9V工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型:表面貼裝型產品封裝:60-TFBGAIS43DR86400E-3DBLI-TR的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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