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產(chǎn)品參考圖片
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IS43DR86400C-3DBI-TR
  • 制造廠商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導(dǎo)體)
  • 類別封裝:存儲器,產(chǎn)品封裝:60-TFBGA
  • 技術(shù)參數(shù):IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • (專注銷售ISSI電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購)
  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IS43DR86400C-3DBI-TR
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:DRAM
  • 技術(shù):SDRAM - DDR2
  • 存儲容量:512Mb(64M x 8)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率:333MHz
  • 寫周期時(shí)間-字,頁:15ns
  • 訪問時(shí)間:450ps
  • 電壓-供電:1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:60-TFBGA
  • IS43DR86400C-3DBI-TR的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
  • 節(jié)約時(shí)間成本,提高采購效率,ISSI官網(wǎng)授權(quán)代理
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