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  • 制造廠商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體)
  • 類別封裝:存儲器,產(chǎn)品封裝:84-TFBGA
  • 技術(shù)參數(shù):IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA
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  • 制造商產(chǎn)品型號:IS43DR16160B-25DBLI-TR
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:DRAM
  • 技術(shù):SDRAM - DDR2
  • 存儲容量:256Mb(16M x 16)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:400MHz
  • 寫周期時間-字,頁:15ns
  • 訪問時間:400ps
  • 電壓-供電:1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:84-TFBGA
  • IS43DR16160B-25DBLI-TR的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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